霍尼韦尔传感与控制,HONEYWELL高温芯片传感器,应用指南
HT1104 高温四重组装超低输入偏置电流运算放大器
额定温度:-55℃至+255℃ 单流或分流运算 共模输入电压范围包括电源负限 低输入偏置与补偿参数 输入/输出过载保护 高输入阻抗和超低偏置电流 电介质分离的无闭锁设计 密封14引线陶瓷DIP
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HT1204 高温四重组模拟开关
额定温度:-55℃到+225℃ 225℃时zui大渗漏为500nA 低控制输入电流 线性度高 开关之间串扰低 密封14引线陶瓷DIP 电介质分离的无闭锁设计 单个开关控制 CMOS逻辑电平
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HT506/HT507 高温模拟多路复用器 16通道单/8通道双
额定温度范围-55℃到+225℃ 先断后合开关 无闭锁 I225℃时电阻400 I225℃时8通道漏电1.2A 分离或单一供电性能
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HTANFET 高温N沟道电源场效应晶体管
额定温度:-55℃至+225℃ 持续输出电流可达1Amp 典型输入电压可达90V 绝缘层上覆硅(SOI) 4引脚电源带式封装或 带整体散热器的8引脚陶瓷Dip
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HTPLREG 高温正线性稳压器
额定温度范围: -55℃至+225℃ 输出电流可达300mA 校准+15,+10和+5V输出 输入电压可达-28V 静态电流3.0mA 电流极限和短路保护 密封4-引脚封装
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HTCCG 高温晶体时钟发生器
额定温度:-55℃至+225℃ 与CMOS/TTL 相匹配 输出频率24KHz-20MHz 被2,4,8 分开 单5V 供电电源 密封14引脚陶瓷DIP 与外部晶体接口
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HT6256 高温静态存储器
额定温度:-55℃至+225℃ 用THMOSTM IV绝缘层上覆硅生产 读取/写入循环时间 50ns支持20MHz时钟 异步操作 输入/输出缓冲器 单5V 10%供电电源 密封28引线陶瓷DIP
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HT83C51 高温83C51微控制器
IHTMOS额定温度:-55℃至+225℃ 优化8-bit CPU用于5V控制用途 四个8-bit双向平行端口 三个带有一个递增/递减定时器/计数器和时钟输出的16-bit定时器/计数器 可编程计数器阵列 带有七个源极和四个优先级的中断结构 半双方的可编程串行端口带有~成帧误差检测~自动地址识别 I64k外部程序存储器地址空间
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