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hydac压力传感器ENS3216型使用要求
点击次数:381 更新时间:2018-02-01
 

hydac压力传感器ENS3216型使用要求


贺德克hydac压力传感器包括了两个电容:一个是用于测量的测量电容Cx,另一个是用于温度补偿的参考电容Co。贺德克hydac压力传感器当膜片(上电极)受到压力p 作用时发生变形,随着压力的增大膜片与衬底的距离逐渐缩小,贺德克hydac压力传感器在压力达到接触点压力(即膜片中心接触到绝缘层时的压力)之前,测量电容器的电容值由非接触电A片决定。贺德克hydac压力传感器半导体在承受压力时禁带宽度发生变化,导致载流子浓度和迁移率变化。这样引起的电阻变化比金属丝受压时截面积减小引起的电阻变化要大两个数量级,因此半导体压力传感器具有高灵敏度。将 P型半导体与 N型半导体组合使用还可制成灵敏度更高的压力传感器。特别是传感器的制造工艺与半导体集成电路平面工艺兼容, 这就满足了贺德克hydac压力传感器向智能化方向发展的要求。与压阻式压力传感器相比, 电容式压力传感器具有低温漂、高灵敏度、低噪声和较大的动态范围等显著的优点。


贺德克hydac压力传感器是目前*可在基底上制作亚微米精度图形的技术。在微系统制造中,光刻主要用来做掩模版、体硅工艺的空腔腐蚀、表面工艺中的牺牲层薄膜的成绩和腐蚀以及传感器和致动器触及电信号电路的图形化处理。它指在需要的地方通过物理或化学的方法对原有材料的去除,常被用于形成MEMS 和微系统中为器件的几何形状。贺德克hydac压力传感器两种常用的腐蚀技术为湿法腐蚀和干法腐蚀。湿法腐蚀是指用稀释的化学溶液来腐蚀基底,是将要腐蚀的基底置入具有确定化学成分和固定温度的腐蚀液体里进行的腐蚀。腐蚀的速率取决于基底上被腐蚀的材料和溶液中化学反应物的浓度,以及溶液的温度。贺德克hydac压力传感器干法腐蚀是利用气体的腐蚀性,而不是利用化学药剂和清洗法来去除基地材料。贺德克hydac压力传感器干法腐蚀有三种实用技术:等离子刻蚀、离子 研磨以及反应离子刻蚀法。


贺德克hydac压力传感器由工件几何形状决定了加工的工艺流程,而工艺是制约微机电系统器件能否达到设计要求的关键。还可以通过改善敏感元件、电容器的物理特性,改变传感器的尺寸,进一步提高传感器的工作范围、灵敏度等。通过测量材料应力来测量压力大小,它具有体积小、全动态测量范围的高线性度、较高的灵敏度、相对较小的滞后和蠕变的特点,贺德克hydac压力传感器多采用惠斯通电桥来消除温度影响;通过测量电容变化来测量压力大小,相比较压阻式的传感器,它具有很高的灵敏度、低温度敏感系数、没有滞后、更高的长期稳定性,但同时它也有更高的非线性度、更大的体积,贺德克hydac压力传感器需要更复杂的检测电路和更高的生产成本; 通过测量频率或频率的微分变化来测量压力大小,它可以通过诸如热、电磁和静电效应来改变膜片频率,并且可以通过真空封装来提高传感器精度;形成了包括各种微电子、微机械、微光学及各种数据处理单元的微系统,贺德克hydac压力传感器其中以集成电路加工技术为基础的硅基微加工技术发展迅速。


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